Физика

2012 / 9 (100)

Е.К. Башкиров, М.С. Мастюгин

ПЕРЕПУТЫВАНИЕ ДВУХ ДИПОЛЬНО-СВЯЗАННЫХ АТОМОВ, ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ С ДВУХМОДОВЫМ ТЕПЛОВЫМ ПОЛЕМ В РЕЗОНАТОРЕ C ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ

Рассмотрено перепутывание двух дипольно-связанных двухуровневых атомов с невырожденными двухфотонными переходами, взаимодействующих с тепловым двухмодовым полем в идеальном резонаторе. Показана возможность значительного увеличения степени атомного перепутывания при наличии атомной когерентности в случае больших значений средних чисел тепловых фотонов.

А.А. Бирюков, Я.В. Дегтярева, М.А. Шлеенков

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В МОДЕЛИ ИЗИНГА С ДАЛЬНИМИ КОРРЕЛЯЦИЯМИ

В работе представлено исследование фазовых переходов в двумерной модели Изинга, в которой учитывается взаимодействие спина как со спинами, расположенными в соседних узлах решетки, так и со спинами, расположенными в последующих узлах на площади с некоторым выбранным радиусом. Данная модель исследуется методом Монте-Карло с алгоритмом Метрополиса. Показано, что с увеличением данного радиуса корреляции между спинами температура фазового перехода возрастает.

В.И. Чепурнов

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В SI-ФАЗЕ, СОПРЯЖЕННОЙ С SIC-ФАЗОЙ, СФОРМИРОВАННОЙ МЕТОДОМ ЭНДОТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

В данной статье показано, что гетероструктуры карбида кремния на кремниевых подложках являются перспективным материалом высокотемпературной и радиационно устойчивой электроники. Твердофазный процесс эндотаксии карбида кремния сопровождается химическим превращением Si-фазы в SiC-фазу в среде водорода и углеводородов при температуре 1360-1380 °C и нормальном давлении. Исследовано распределение тепловых собственных точечных дефектов различной природы в кремниевой подложке в зависимости от типа ее проводимости и в условиях изовалентного легирования углеродом.